По сообщениям, компания Samsung находится на стадии пробного производства 3-нм литейного процессора, который может быть использован для добычи биткоина. Официальный сайт Freebitco.in.
Первым заказчиком станет PanSemi, китайский производитель ASIC, а в будущем в этом может принять участие и Qualcomm.
3-нм литейная обработка может позволить чипам снизить энергопотребление, повысить скорость и увеличить количество транзисторов.
По сообщениям, на этой неделе компания Samsung начнет пробное производство трех нанометровых (3 нм) чипов для прикладных интегральных схем (ASIC) — наиболее эффективных машин для добычи биткоина.
Первым клиентом Samsung, согласно отчету, станет китайская компания PanSemi, которая разрабатывает ASIC, используемые для добычи биткоина. Аналогичным образом, компания Qualcomm — крупнейший клиент Samsung — также зарезервировала места, чтобы воспользоваться преимуществами нового производственного процесса, причем источники сообщают, что Qualcomm может принять участие в процессе в любой момент, но не собирается этого делать.
Ранее Qualcomm уже размещала заказы на 4-нм чипы, но в феврале этого года они были отменены из-за неожиданного отсутствия производства со стороны Samsung. Это заставило Qualcomm прибегнуть к помощи другой компании — Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC).
Последнее предложение от Samsung называется gate-all-around (GAA), которое, как следует из названия, будет иметь затворы на всех четырех поверхностях. До сих пор наиболее коммерчески успешным процессом был FinFET, который использовал только три поверхности вместо четырех. Как сообщается, эта модернизация позволяет сделать затворы более узкими и более точно контролировать токи. По сообщениям, это может привести к сокращению площади на 45% и повышению эффективности на 30%, если пробное производство будет успешным.
Кроме того, Tech Monitor сообщил, что 3-нм техпроцесс TSMC уменьшит размер полупроводника, что, в свою очередь, позволит снизить энергопотребление на 30%, увеличить скорость на 15%, а также увеличить плотность транзисторов на 33%, что сделает оборудование более мощным.
Несмотря на то, что этот отчет был подготовлен в прошлом году, все же важно понимать, какое влияние окажет это усовершенствование на технологию.